XRF 螢光光譜技術全解析:原理、應用、儀器類型與定量分析方法

摘要

X 射線螢光光譜分析(XRF)是現代材料分析中極具代表性的非破壞檢測技術,能快速進行多元素分析、樣品處理簡便、分析重複性佳。本文將說明 XRF 技術的基本原理、分類(EDXRF、WDXRF、micro-XRF、TXRF)、常見應用領域、系統構造、應用領域到定量分析方法深入探索,並搭配精度優化建議,為您掌握 XRF 的分析技術核心。

1. XRF主要應用領域

X射線螢光分析法(X-ray fluorescence,XRF)廣泛的應用在各種元素測試應用上,XRF 可分析固體、液體、粉體,廣泛應用於礦業、冶金、金屬材料、電子組件、有害物質檢測、文物保存等,如: RoHS 元件、銅合金、鋁壓鑄、礦石品位、電池陽極分析等。

其主要應用領域有:

2. XRF分析原理

  • X光管產生X射線照射在樣品上,將原子內層電子軌域上的電子擊飛,造成內層電子軌域空洞
  • 為了元素組成穩定,外層電子會向內層遞補,把空洞填補起來。在過程中因為內外層
  • 由於不同元素的電子軌域都不同,所以產生出來的螢光也都不一樣,可以用來定性分析,在依據得到的螢光能
  • 依據螢光的特性可以將XRF分為兩種分析方法:一種是依據螢光的能量高低不同進行元素分析,稱為能量分散式X射線螢光分析法(Energy Dispersive X-ray Fluorescence, EDXRF)。另一種是依據螢光的波長長度不同進行元素分析,稱為波長色散式X射線螢光分析法(Wavelength Dispersive X-ray Fluorescence, WDXRF)。

3. XRF 的工作原理與技術分類

對於X射線螢光分析法(X-ray Fluorescence, XRF)的工作原理與技術分類

3-1. EDXRF(能量色散型XRF):

工作原理:

  1. X 光激發樣品:由 X 射線管發出的 X 光打在樣品上,激發樣品中的原子,使其內層電子被移出,形成空穴。

  2. 特徵螢光產生:外層電子跳入空穴時,會釋放出具特定能量的 X 射線,即「特徵 X 螢光」。

  3. 能量偵測:使用一個半導體偵測器(如 SDD, Si-PIN)來偵測這些螢光,依能量進行分離與定性。

  4. 能譜圖分析:光譜中的每一個能量峰對應一個元素,根據峰值強度可進行定量。

優點:

  • 儀器體積小、操作簡便。

  • 可攜式版本適合現場分析。

  • 適用於快速多元素定性/半定量分析。

  • 分析速度快,適合大量樣品篩選。

限制:

  • 能量解析度受限於偵測器(通常 130–150 eV)。

  • 對輕元素(如 Na、Mg)靈敏度較差。

  • 偵測下限比 WDXRF 略高。

相關分析設備如下:

以上3種是目前市場上最常見的能量分散式X射線螢光分析光譜儀。

內部硬體設計如下:

由高壓電源讓X光管產生的X射線直接激發樣品(依照應用可選擇濾波器過濾X光管本身的訊號干擾),得到的螢光訊號經由檢測器接收訊號後,電腦將得到的類比訊號轉換成數位訊號,以能譜圖呈現結果。

3.2 WDXRF(波長色散型 X 射線螢光光譜,Wavelength Dispersive XRF)

工作原理:

  1. X 光激發樣品:與 EDXRF 相同,利用 X 射線管激發樣品。
  2. 螢光射線經光學分光:產生的螢光會通過一個 色散晶體(如 LiF、PET),根據布拉格定律依照波長被分離。
  3. 探測與計數:經過光學分光後的 X 射線被 **比例計數器(或閃爍計數器)**偵測,逐一記錄每個波長的強度。
  4. 逐項掃描元素:每次只能偵測一個波長(即一個元素),依次掃描多個元素。

優點:

  • 分析精度高,靈敏度優於 EDXRF。

  • 可偵測痕量元素至 ppm 等級。

  • 偵測範圍涵蓋 Z=4(Be)以上。

  • 背景雜訊低,線性範圍廣。

限制:

  • 體積大、成本高。

  • 掃描速度較慢(需逐一切換元素)。

  • 操作較複雜,需高穩定性光學設計。

3.3 Micro-XRF(微區 X 射線螢光)

工作原理:

Micro-XRF 是一種基於 EDXRF 或 WDXRF 的延伸技術,其特點是使用 X 光聚焦系統,將光束縮小至微米甚至亞微米級,以進行微區分析與影像化。

  1. 微小光斑激發樣品:透過聚光鏡(如多層反射鏡、毛細管、polycapillary)聚焦 X 光,形成 <30 μm 的光斑。

  2. 移動樣品或光束掃描:樣品固定或光源/偵測器移動,實現面掃描(Mapping)

  3. 逐點收集能譜:每個掃描點收集完整 XRF 光譜,繪製元素分佈影像。

  4. 資料重建與圖像分析:將每一點元素強度重建成 2D/3D 圖像。

優點:

  • 可分析不均勻樣品與微小區域(如 IC 封裝、礦物晶體)。

  • 具備空間解析能力(如元素 mapping)。

  • 非破壞性,適合藝術品與古文物應用。

限制:

  • 光源功率限制,需較長掃描時間。

  • 光斑焦距距離與能量有關(低能聚焦困難)。

  • 成本較高,設備較複雜。

Micro XRF微區分析光學系統比較

圖2.  微區XRF準值器與毛細管聚焦鏡工作原理說明

3.4 TXRF(全反射 X 射線螢光,Total Reflection XRF)

工作原理:

TXRF 是一種特殊幾何的 XRF 技術,其特點是將激發 X 光以極低角度(通常 < 0.1°)照射到樣品上,使其產生全反射現象,藉此大幅降低背景訊號,提高偵測靈敏度。

  1. 低角度入射 X 光:X 光在樣品表面(如石英玻片)產生全反射,幾乎不穿透載體。

  2. 樣品為極薄膜:樣品為乾燥後的超薄層(通常為滴乾液滴),訊號來自於樣品本身。

  3. 超低背景下偵測:背景極低,訊雜比(S/N)大幅提高,可分析 ppb 等級的微量元素。

  4. 通常採用 EDXRF 偵測器:搭配 SDD 偵測器與高穩定光源。

優點:

  • 超高靈敏度,可分析痕量污染、超純水、矽片表面金屬。

  • 無需樣品研磨或壓錠。

  • 樣品用量少、非破壞。

限制

  • 僅適合極薄樣品或液滴乾燥樣。

  • 定量需內標法或特殊基質匹配。

  • 不適合固體、厚膜或粗樣。

XRF技術比較: EDXRF,WDXRF,micro-XRF,TXRF

表2.XRF技術比較: EDXRF,WDXRF,microXRF,TXRF

4. XRF 儀器硬體構成介紹

XRF 儀器主要包含以下關鍵硬體:

  1. X-ray Tube(X 射線管): 提供激發能量(如40kV、60kV)
  2. Primary Filter(濾光片): 改善訊號對比,降低背景雜訊
  3. Collimator / Optics(準直或聚焦元件): 控制光束形狀與大小(特別於 micro-XRF)
  4. Sample Stage(樣品台): 固定樣品,可自動移動做掃描(如: MA-uXRF)
  5. Detector(偵測器): EDXRF多用 SDD、WDXRF 用比例計數管等
  6. 電子系統與軟體: 資料處理、校正與分析報告生成

5. XRF 的定量分析方法

XRF除了能進行樣品非破壞的元素定性分析外,EDXRF在定量分析上也有出色的表現

定量分析需考慮以下變因:

  • 吸收與增強效應(Matrix Effect)

  • 粒徑、表面平整度

  • 樣品厚度與均勻性

  • 材料內多元素存在的元素干擾

常用定量方法:

  1. 基體匹配(校正減量線法,Matrix-matched Calibration): 使用與實際樣品組成相似的標準品建構校正曲線。
  2. 基礎參數法(Fundamental Parameter, FP): 利用理論 XRF 物理模型計算元素濃度,也稱無標片定量分析法。
  3. 內標法(Internal Standard): 加入已知元素濃度作為內部定量參考提升穩定性

多數商用儀器皆具備自動校正、偏差修正功能,開放客戶自行建立定量檢量線,適用於現場(手持式或攜帶型)與實驗室(桌上型與高性能落地型)。

XRF定量設定介面功能

圖 3. XRF技術-二次靶材XRF,降底背景散亂線,提升光譜SNR,減少元素干擾

6. 結論: XRF 為何在材料分析中不可或缺?

XRF 結合了非破壞性、快速、多元素、多樣品適應性等特性,已成為材料成分分析的首選技術之一。無論是在工業品管、研究開發還是法規檢測中,XRF 提供了效率與精度的絕佳平衡,並持續擴展其應用邊界(如同步輻射XRF、奈米XRF等)。

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